星空体app首页2024年全球碳化硅行业技术全景分析 技术发展总体步入平稳发展时期【组图】

　　星空体app首页1)搜索关键词：“碳化硅”及与之相近似或相关关键词;2)搜索范围：标题;3)筛选条件：简单同族申请去重、法律状态为实质审查、授权、PCT国际公布、PCT进入指定国(指定期)，简单同族申请去重是按照受理局进行统计;4)统计截止日期：2024年5月17日;5)若有特殊统计口径会在图表下方备注。

　　全球碳化硅行业专利技术在21世纪初得到初步发展，这一时期碳化硅专利申请人数量和申请量处于较低水平。随后专利申请量整体处于增长趋势，申请人数量则呈现波动增长趋势。2022全球碳化硅行业专利技术申请量或申请人数量整体达到最高水平，整体来看，全球碳化硅技术发展步入平稳发展时期星空体app首页。2023年申请人数量约1000位，申请量超过2600项。

　　根据incoPat披露的信息，2013-2022年，我国碳化硅行业专利申请数量整体呈增长趋势，2022年达到最高峰，当年专利申请量超过3300项，2023年中国碳化硅行业专利申请量为2622项。2013-2023年，我国碳化硅行业专利公开数量呈上涨趋势，2023年，我国碳化硅行业专利公开数量为4033项。2024年1-5月，中国碳化硅行业专利申请量和公开量分别为286项和1765项。

　　从技术构成来看，目前“H01L(不包括在H10类目中的半导体器件)”的专利申请数量最多，超过1.6万项，占总申请量的34.9%。其次是“C04B(石灰;氧化镁;矿渣;水泥;其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料;人造石;陶瓷;耐火材料;天然石的处理)”，专利申请量为1.2万项，占总申请量的25.7%。排名第三的是“C30B(单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置)”，专利申请量为8753项，占总申请量的18.2%。

　　目前，全球碳化硅第一大技术来源国为中国，中国碳化硅专利申请量占全球碳化硅专利总申请量的44%;其次是日本，碳化硅专利申请量占全球碳化硅专利申请量的19%;排位第三的是美国，碳化硅专利申请量占全球碳化硅专利申请量的比例为13%。

　　更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国碳化硅（SiC）行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》。

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